Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 60 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 420 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.32 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Информация для заказа
- Цена: 74 ₴

