Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна розсіювана потужність (Pd): 150 W
Гранично допустима напруга стик-висток (Uds): 600 V
Гранично допустима напруга затвор-висток (Ugs): 30 V
Максимально допустимий постійний струм стоку (Id): 20 A
Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C
Загальний заряд затвора (Qg): 60 nC
Час наростання (tr): 12 ns
Вихідна ємність (Cd): 420 pf
Опір стік-виток відкритого транзизора (Rds): 0.32 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Інформація для замовлення
- Ціна: 68 ₴

