Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 80 ns
Выходная емкость (Cd): 340 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.25 Ohm
Тип корпуса: TO3PF
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
Информация для заказа
- Цена: 82 ₴

