Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна розсіювана потужність (Pd): 100 W
Гранично допустима напруга стик-висток (Uds): 500 V
Гранично допустима напруга затвор-висток (Ugs): 30 V
Максимально допустимий постійний струм стоку (Id): 18 A
Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C
Час наростання (tr): 80 ns
Вихідна ємність (Cd): 340 pf
Опір стік-виток відкритого транзизора (Rds): 0.25 Ohm
Тип корпусу: TO3PF
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | PD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 75 ₴

