Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
Информация для заказа
- Цена: 79 ₴

