Наименование прибора: RJK5020DPK
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 126 nC
Время нарастания (tr): 115 ns
Выходная емкость (Cd): 525 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.118 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Информация для заказа
- Цена: 91 ₴

