Найменування: GT35J321
Тип транзизора: IGBT
Тип керівного каналу: N-Channel
Максимальна розсіювана потужність (Pc), W: 75
Гранично-допустима напруга колектор-емітер Vce", V: 600
Максимально допустима напруга іміттер-закрива Vge, V: 25
Максимальний постійний струм колектора Ic @25°C, A: 37
Напруга насичення колектор-емітер типова VCE(sat), V: 1.9
Максимальна температура переходу (Tj), °C: 150
Тип корпусу: TO-3PN
Тип транзизора: IGBT
Тип керівного каналу: N-Channel
Максимальна розсіювана потужність (Pc), W: 75
Гранично-допустима напруга колектор-емітер Vce", V: 600
Максимально допустима напруга іміттер-закрива Vge, V: 25
Максимальний постійний струм колектора Ic @25°C, A: 37
Напруга насичення колектор-емітер типова VCE(sat), V: 1.9
Максимальна температура переходу (Tj), °C: 150
Тип корпусу: TO-3PN
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | SAT |
Інформація для замовлення
- Ціна: 84 ₴

