Наименование прибора: 2SK1120
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1000 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A
Общий заряд затвора (Qg): 120 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.8 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Информация для заказа
- Цена: 60 ₴

