PHB55N03LTA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 85 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 15 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 55 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 45 ns
Выходная емкость (Cd): 340 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.014 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Информация для заказа
- Цена: 26 ₴

