Наименование: GT60N321
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 230 nS
Тип корпуса: TO3P
рекомендуется для замены транзисторов GT50N322 и GT50j327
самый мощный из серии IGBT для свч инверторных печей
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Toshiba |
Информация для заказа
- Цена: 199 ₴

